Գործիքների ծածկույթի երկու տեսակի ընդհանուր մեթոդներ կան՝ քիմիական գոլորշիների նստեցում (cvd) և ֆիզիկական գոլորշիների նստեցում (pvd): Վերջին տարիներին ի հայտ են եկել ծածկման որոշ նոր գործընթացներ, որոնք կիրառման լավ հեռանկար ունեն։
CVD

CVD մեթոդը, որը պատկանում է ատոմային նստվածքին, ջերմային մատրիցայի մակերևույթի վրա պինդ նստվածքային շերտի ձևավորման մեթոդ է՝ օգտագործելով գոլորշի, ջրածին և մետաղի հալոգենրիդի այլ քիմիական բաղադրիչներ 950~1050℃ բարձր ջերմաստիճանում: Գործընթացը ներառում է երեք փուլ՝ նյութի գոլորշիացում, տեղափոխում մատրիցայի մոտակայքում և մատրիցայի վրա ծածկույթի ձևավորում:
Բոլոր տեսակի cvd մեթոդներից առավել օգտագործվում են վակուումային իոնային ռմբակոծությունը և մագնետրոն իոնային ռեակցիայի ցողումը: cvd տեխնոլոգիան հիմնականում օգտագործվում է ցեմենտացված կարբիդային կտրող գործիքների մակերեսային ծածկույթի համար, որը հարմար է բարձր արագությամբ կոպտելու և միջին և ծանր կտրվածքների կիսամշակման համար:
Ծածկման այլ մեթոդների համեմատ, cvd մեթոդը ոչ միայն ունի պարզ սարքավորումների, հասուն գործընթացի առավելությունները, այլ նաև ունի հետևյալ առավելությունները.
Կան նստվածքների բազմաթիվ տեսակներ, որոնք կարող են պատված լինել մետաղներով, համաձուլվածքներով, կարբիդներով, նիտրիդներով, բորիդներով, օքսիդներով, ածխածնի նիտրիդներով, թթվածնի նիտրիդներով, հիդրոածխածնի նիտրիդներով և այլն. Բարձր թափանցելիությամբ և միատեսակությամբ կարելի է ձեռք բերել տարբեր հյուսվածքներով բազմաշերտ ծածկույթներ, իսկ ծածկույթի հաստությունը միատեսակ է։ Ներդրումների մակարդակը բարձր է և հեշտ վերահսկելի: Ծածկույթն ունի բարձր մաքրություն և նուրբ ու խիտ հատիկներ։ Ուժեղ կպչունությունը կարող է ստանալ ավելի հաստ ծածկույթ: Գործընթացի ցածր արժեքը, հարմար է զանգվածային արտադրության համար:
PVD

PVD մեթոդը նպատակային աղբյուրներից նյութերը հեռացնելն է ֆիզիկական ձևերով, ինչպիսիք են գոլորշիացումը կամ ցողումը, և այնուհետև այդ էներգետիկ գոլորշի իոնները տեղադրվում են ենթաշերտի կամ մասի մակերեսի վրա՝ վակուումային կամ կիսավակումային տարածության միջով թաղանթաշերտ ձևավորելու համար: Գոլորշիացված կամ ցրված մետաղի ատոմների գոլորշիների ռեակցիան հանգեցնում է գործիքի մակերեսի վրա անհրաժեշտ միացությունների նստեցմանը: pvd ծածկույթը կարող է պատվել տիտանի նիտրիդով, տիտանի ածխածնի նիտրիդով, ալյումինի տիտանի ազոտային միացություններով, ինչպես նաև կարբիդների և նիտրիդների տարբեր հրակայուն մետաղներով:
PVD տեխնոլոգիան հիմնականում օգտագործվում է ինտեգրալ ցեմենտացված կարբիդային գործիքների և բարձր արագությամբ պողպատե գործիքների մակերեսային մշակման համար: Այն լայնորեն կիրառվել է ցեմենտացված կարբիդային բիթի, ֆրեզերային կտրիչի, ռամիչի, ծորակի, հատուկ ձևավորված գործիքի, եռակցման գործիքի և այլնի ծածկույթների մշակման մեջ:
MT-CVD

Խիտ մանրաթելային բյուրեղային ձևաբանությամբ tcn ծածկույթը կարելի է ձեռք բերել միջին ջերմաստիճանի քիմիական գոլորշիների նստեցմամբ (MT-CVD) 700~900℃ ջերմաստիճանում: Ծածկույթի հաստությունը կարող է հասնել 8 ~ 10 μm, և cvd տեխնոլոգիայի միջոցով մակերեսային շերտի վրա կարող է լինել a2o3、 անագ:
MT-CVD ծածկույթի սայրը հարմար է բարձր արագության, բարձր ջերմաստիճանի, մեծ բեռի, չոր կտրման պայմանների համար, նրա կյանքը մոտ երկու անգամ ավելի բարձր է, քան սովորական ծածկույթի սայրը: cvd մեթոդի հիմնական թերությունն այն է, որ նստվածքի ջերմաստիճանը բարձր է, և գործիքի կռումը և դեֆորմացումը տեղի կունենա, երբ բարձր արագությամբ գործիքի պողպատե գործիքը պատված է: Այսպիսով, ավանդադրված գործիքը պետք է մարվի:
Հեղինակային իրավունք © 2026 Yangjiang Yangdong Ruitai Hardware Products Co., Ltd. | Բոլոր իրավունքները պաշտպանված են