Ruitai oshxona pichoqlari: Xitoydan tayyorlangan oshxona pichoqlari to'plami uchun sizning asosiy manbangiz
Til
Ruitai oshxona pichoqlari: Xitoydan tayyorlangan oshxona pichoqlari to'plami uchun sizning asosiy manbangiz
Umumiy asboblarni qoplash usullarining ikki turi mavjud: hozirgi vaqtda kimyoviy bug 'cho'kishi (cvd) va jismoniy bug'ning cho'kishi (pvd). So'nggi yillarda yaxshi qo'llash istiqboliga ega bo'lgan yangi qoplama jarayonlari paydo bo'ldi.
CVD
Atom cho'kmasiga tegishli bo'lgan CVD usuli 950 ~ 1050 ℃ yuqori haroratda metall halidning bug ', vodorod va boshqa kimyoviy tarkibiy qismlaridan foydalangan holda isitish matritsasi yuzasida qattiq cho'kma qatlamini hosil qilish usulidir. Jarayon uch bosqichni o'z ichiga oladi: materialning bug'lanishi, matritsa yaqiniga olib o'tish va matritsada qoplama hosil bo'lishi.
Cvd usullarining barcha turlari orasida vakuum ionlarini bombardimon qilish va magnetron ion reaktsiyasini püskürtme eng ko'p qo'llaniladi. cvd texnologiyasi asosan yuqori tezlikda qo'pol ishlov berish va o'rta va og'ir kesishni yarim ishlov berish uchun mos bo'lgan sementlangan karbid kesish asboblarining sirtini qoplash uchun ishlatiladi.
Boshqa qoplama usullari bilan solishtirganda, cvd usuli nafaqat oddiy uskunaning, etuk jarayonning afzalliklariga ega, balki quyidagi afzalliklarga ham ega:
Metall, qotishmalar, karbidlar, nitridlar, boridlar, oksidlar, uglerod nitridlari, kislorod nitridlari, uglevodorod nitridlari va boshqalar bilan qoplanishi mumkin bo'lgan ko'plab cho'kindi jinslar mavjud: Yuqori o'tkazuvchanlik va bir xillik bilan turli to'qimalarga ega ko'p qatlamli qoplamalar olinishi mumkin va qoplama qalinligi bir xil bo'ladi. Depozit tezligi yuqori va nazorat qilish oson. Qoplama yuqori soflik va nozik va zich donalarga ega. Kuchli yopishish qalinroq qoplamani olishi mumkin. Kam texnologik xarajat, ommaviy ishlab chiqarish uchun mos.
PVD
PVD usuli - bug'lanish yoki purkash kabi jismoniy shakllar orqali maqsadli manbalardan materiallarni olib tashlash va keyin bu energiyali bug 'ionlarini vakuum yoki yarim vakuum bo'shlig'i orqali plyonka qatlamini hosil qilish uchun substrat yoki qism yuzasiga joylashtirishdir. Bug'langan yoki purkalgan metall atomlarining bug 'reaksiyasi asbob yuzasida kerakli birikmalarning cho'kishiga olib keladi. pvd qoplamasi titanium nitridi, titanium uglerod nitridi, alyuminiy titanium azot birikmalari, shuningdek, karbidlar va nitridlarning turli refrakter metallari bilan qoplanishi mumkin.
PVD texnologiyasi asosan integral sementlangan karbid asboblari va yuqori tezlikli po'latdan yasalgan asboblarni sirtga ishlov berishda qo'llaniladi. U sementlangan karbid bitini, frezalashtirgichni, reamerni, kranni, maxsus shakldagi asbobni, payvandlash asbobini va boshqalarni qoplashda keng qo'llaniladi.
MT-CVD
Zich tolali kristalli morfologiyaga ega bo'lgan tcn qoplamasini 700 ~ 900 ℃ da o'rta haroratli kimyoviy bug'larni cho'ktirish (MT-CVD) orqali olish mumkin. Qoplamaning qalinligi 8 ~ 10 mkm ga yetishi mumkin va cvd texnologiyasi bo'yicha sirt qatlamida a2o3, qalay bo'lishi mumkin.
MT-CVD qoplama pichog'i yuqori tezlik, yuqori harorat, katta yuk, quruq kesish sharoitlariga mos keladi, uning ishlash muddati oddiy qoplama pichog'idan taxminan ikki baravar yuqori. cvd usulining asosiy kamchiligi shundaki, cho'kma harorati yuqori bo'lib, yuqori tezlikda ishlaydigan po'latdan yasalgan asbob bilan qoplanganida asbobning tavlanishi va deformatsiyasi sodir bo'ladi. Shunday qilib, yotqizilgan asbobni o'chirish kerak.
Mualliflik huquqi © 2026 Yangjiang Yangdong Ruitai Hardware Products Co., Ltd. | Barcha huquqlar himoyalangan
