පොදු මෙවලම් ආලේපන ක්රම දෙකක් තිබේ: දැනට රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (cvd) සහ භෞතික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (pvd). මෑත වසරවලදී, නව ආලේපන ක්රියාවලීන් කිහිපයක් දර්ශනය වී ඇති අතර එය හොඳ යෙදුම් අපේක්ෂාවක් ඇත.
CVD

CVD ක්රමය, පරමාණුක තැන්පත් වීම, 950~1050℃ ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී ලෝහ හේලයිඩයේ වාෂ්ප, හයිඩ්රජන් සහ අනෙකුත් රසායනික සංඝටක යොදා ගනිමින් තාපක න්යාසයේ මතුපිට ඝන තැන්පත් ස්ථරය සෑදීමේ ක්රමයකි. ක්රියාවලියට අදියර තුනක් ඇතුළත් වේ: ද්රව්ය වාෂ්පීකරණය, න්යාසය ආසන්නයට ප්රවාහනය සහ න්යාසය මත උඩින් තැබීම.
සියලුම වර්ගවල cvd ක්රම අතර, රික්ත අයන බෝම්බ හෙලීම සහ මැග්නට්රෝන අයන ප්රතික්රියා ඉසීම වඩාත් භාවිතා වේ. cvd තාක්ෂණය ප්රධාන වශයෙන් සිමෙන්ති කාබයිඩ් කැපුම් මෙවලම්වල මතුපිට ආලේපනය සඳහා භාවිතා කරන අතර එය මධ්යම හා බර කැපීම සඳහා අධිවේගී රළු කිරීම සහ අර්ධ අවසන් කිරීම සඳහා සුදුසු වේ.
අනෙකුත් ආලේපන ක්රම සමඟ සසඳන විට, cvd ක්රමය සරල උපකරණ, පරිණත ක්රියාවලියේ වාසි පමණක් නොව, පහත සඳහන් වාසි ද ඇත:
ලෝහ, මිශ්ර ලෝහ, කාබයිඩ්, නයිට්රයිඩ, බෝරයිඩ, ඔක්සයිඩ්, කාබන් නයිට්රයිඩ, ඔක්සිජන් නයිට්රයිඩ, හයිඩ්රොකාබන් නයිට්රයිඩ ආදියෙන් ආලේප කළ හැකි අවසාදිත වර්ග රාශියක් ඇත. ඉහළ පාරගම්යතාව සහ ඒකාකාරිත්වය සහිතව, විවිධ පටක සහිත බහු ස්ථර ආලේපන ලබා ගත හැකි අතර, ආලේපන ඝණකම ඒකාකාර වේ. තැන්පත් වීමේ අනුපාතය ඉහළ සහ පාලනය කිරීමට පහසුය. ආලේපනය ඉහළ සංශුද්ධතාවය සහ සිහින් සහ ඝන ධාන්ය ඇත. ශක්තිමත් ඇලවීම ඝන ආලේපනයක් ලබා ගත හැකිය. අඩු ක්රියාවලිය පිරිවැය, මහා පරිමාණ නිෂ්පාදනය සඳහා සුදුසු වේ.
PVD

PVD ක්රමය යනු වාෂ්පීකරණය හෝ ඉසීම වැනි භෞතික ආකාරවලින් ඉලක්ක ප්රභවයන්ගෙන් ද්රව්ය ඉවත් කර, රික්ත හෝ අර්ධ රික්ත අවකාශය හරහා චිත්රපට තට්ටුවක් සෑදීම සඳහා මෙම ශක්තිජනක වාෂ්ප අයන උපස්ථරය හෝ කොටස් මතුපිට මත තැන්පත් කිරීමයි. වාෂ්පීකරණය වූ හෝ ඉසින ලද ලෝහ පරමාණුවල වාෂ්ප ප්රතික්රියාව මෙවලම් මතුපිටට අවශ්ය සංයෝග තැන්පත් වීමට හේතු වේ. pvd ආලේපනය ටයිටේනියම් නයිට්රයිඩ්, ටයිටේනියම් කාබන් නයිට්රයිඩ්, ඇලුමිනියම් ටයිටේනියම් නයිට්රජන් සංයෝග මෙන්ම විවිධ පරාවර්තක කාබයිඩ් සහ නයිට්රයිඩ ලෝහවලින් ආලේප කළ හැක.
PVD තාක්ෂණය ප්රධාන වශයෙන් සමෝධානික සිමෙන්ති කාබයිඩ් මෙවලම් සහ අධිවේගී මෙවලම් වානේ මෙවලම් මතුපිට පිරියම් කිරීමේදී භාවිතා වේ. සිමෙන්ති කාබයිඩ් බිටු, ඇඹරුම් කපනය, රීමර්, ටැප්, විශේෂ හැඩැති මෙවලම, වෙල්ඩින් මෙවලම සහ යනාදිය ආලේපනය කිරීමේදී එය බහුලව භාවිතා වේ.
MT-CVD

ඝන තන්තුමය ස්ඵටිකරූපී රූප විද්යාව සහිත tcn ආලේපනය මධ්යම උෂ්ණත්ව රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (MT-CVD) මගින් 700~900℃ දී ලබා ගත හැක. ආෙල්පන ඝණකම 8~10μm දක්වා ළඟා විය හැකි අතර, cvd තාක්ෂණය මගින් මතුපිට ස්ථරයේ a2o3、tin විය හැක.
MT-CVD ආෙල්පන තලය අධික වේගය, අධික උෂ්ණත්වය, විශාල බර, වියළි කැපුම් තත්ත්වයන් සඳහා සුදුසු වේ, එහි ආයු කාලය සාමාන්ය ආලේපන තලය මෙන් දෙගුණයක් පමණ වේ. cvd ක්රමයේ ප්රධාන අවාසිය නම් තැන්පත් වීමේ උෂ්ණත්වය ඉහළ මට්ටමක පවතින අතර, අධිවේගී මෙවලම් වානේ මෙවලම ආලේප කළ විට මෙවලම් ඇනීම සහ විරූපණය සිදු වේ. එබැවින් තැන්පත් කරන ලද මෙවලම නිවා දැමිය යුතුය.
ප්රකාශන හිමිකම © 2026 Yangjiang Yangdong Ruitai Hardware Products Co., Ltd. | සියලුම හිමිකම් ඇවිරිණි