ರುಯಿಟಾಯ್ ಕಿಚನ್ ಚಾಕುಗಳು: ಚೀನಾದಿಂದ ಕಸ್ಟಮ್ ಕಿಚನ್ ಚಾಕುಗಳ ಸೆಟ್‌ಗಾಗಿ ನಿಮ್ಮ ಪ್ರಮುಖ ಮೂಲ.
ಭಾಷೆ
ರುಯಿಟಾಯ್ ಕಿಚನ್ ಚಾಕುಗಳು: ಚೀನಾದಿಂದ ಕಸ್ಟಮ್ ಕಿಚನ್ ಚಾಕುಗಳ ಸೆಟ್‌ಗಾಗಿ ನಿಮ್ಮ ಪ್ರಮುಖ ಮೂಲ.
ಎರಡು ರೀತಿಯ ಸಾಮಾನ್ಯ ಟೂಲ್ ಲೇಪನ ವಿಧಾನಗಳಿವೆ: ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ (ಸಿವಿಡಿ) ಮತ್ತು ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ (ಪಿವಿಡಿ) ಪ್ರಸ್ತುತ. ಇತ್ತೀಚಿನ ವರ್ಷಗಳಲ್ಲಿ, ಕೆಲವು ಹೊಸ ಲೇಪನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು ಕಾಣಿಸಿಕೊಂಡಿವೆ, ಇದು ಉತ್ತಮ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ನಿರೀಕ್ಷೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
CVD
ಪರಮಾಣು ಶೇಖರಣೆಗೆ ಸೇರಿದ CVD ವಿಧಾನವು 950~1050℃ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಲೋಹದ ಹಾಲೈಡ್‌ನ ಆವಿ, ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಮತ್ತು ಇತರ ರಾಸಾಯನಿಕ ಘಟಕಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ತಾಪನ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಘನ ಠೇವಣಿ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸುವ ಒಂದು ವಿಧಾನವಾಗಿದೆ. ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಮೂರು ಹಂತಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ: ವಸ್ತುವಿನ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ, ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ನ ಸಮೀಪಕ್ಕೆ ಸಾಗಣೆ ಮತ್ತು ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ನಲ್ಲಿ ಮೇಲ್ಪದರದ ರಚನೆ.
ಎಲ್ಲಾ ರೀತಿಯ cvd ವಿಧಾನಗಳಲ್ಲಿ, ನಿರ್ವಾತ ಅಯಾನ್ ಬಾಂಬ್ ಸ್ಫೋಟ ಮತ್ತು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಅಯಾನು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಸಿಂಪಡಿಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. cvd ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಸಿಮೆಂಟೆಡ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಕತ್ತರಿಸುವ ಉಪಕರಣಗಳ ಮೇಲ್ಮೈ ಲೇಪನಕ್ಕಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಮಧ್ಯಮ ಮತ್ತು ಭಾರೀ ಕತ್ತರಿಸುವಿಕೆಯ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೇಗದ ರಫಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಅರೆ-ಮುಕ್ತಾಯಕ್ಕೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.
ಇತರ ಲೇಪನ ವಿಧಾನಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಸಿವಿಡಿ ವಿಧಾನವು ಸರಳ ಉಪಕರಣಗಳು, ಪ್ರಬುದ್ಧ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಮಾತ್ರವಲ್ಲದೆ ಈ ಕೆಳಗಿನ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ:
ಲೋಹಗಳು, ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳು, ಕಾರ್ಬೈಡ್‌ಗಳು, ನೈಟ್ರೈಡ್‌ಗಳು, ಬೋರೈಡ್‌ಗಳು, ಆಕ್ಸೈಡ್‌ಗಳು, ಕಾರ್ಬನ್ ನೈಟ್ರೈಡ್‌ಗಳು, ಆಕ್ಸಿಜನ್ ನೈಟ್ರೈಡ್‌ಗಳು, ಹೈಡ್ರೋ ಕಾರ್ಬನ್ ನೈಟ್ರೈಡ್‌ಗಳು ಇತ್ಯಾದಿಗಳಿಂದ ಲೇಪಿತವಾಗಿರುವ ಹಲವು ವಿಧದ ಕೆಸರುಗಳಿವೆ: ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ ಮತ್ತು ಏಕರೂಪತೆಯೊಂದಿಗೆ, ವಿವಿಧ ಅಂಗಾಂಶಗಳೊಂದಿಗೆ ಬಹುಪದರದ ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು, ಮತ್ತು ಲೇಪನ ದಪ್ಪವು ಏಕರೂಪವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಠೇವಣಿ ದರವು ಹೆಚ್ಚು ಮತ್ತು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಸುಲಭವಾಗಿದೆ. ಲೇಪನವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಮತ್ತು ದಟ್ಟವಾದ ಧಾನ್ಯಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಬಲವಾದ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ದಪ್ಪವಾದ ಲೇಪನವನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು. ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ವೆಚ್ಚ, ಸಾಮೂಹಿಕ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.
PVD
PVD ವಿಧಾನವೆಂದರೆ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ ಅಥವಾ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್‌ನಂತಹ ಭೌತಿಕ ರೂಪಗಳ ಮೂಲಕ ಗುರಿ ಮೂಲಗಳಿಂದ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವುದು, ಮತ್ತು ನಂತರ ಈ ಶಕ್ತಿಯುತ ಆವಿ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ತಲಾಧಾರ ಅಥವಾ ಭಾಗದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ನಿರ್ವಾತ ಅಥವಾ ಅರೆ-ನಿರ್ವಾತ ಸ್ಥಳದ ಮೂಲಕ ಫಿಲ್ಮ್ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಠೇವಣಿ ಮಾಡುವುದು. ಆವಿಯಾದ ಅಥವಾ ಚಿಮ್ಮಿದ ಲೋಹದ ಪರಮಾಣುಗಳ ಆವಿಯ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯು ಉಪಕರಣದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಅಗತ್ಯವಾದ ಸಂಯುಕ್ತಗಳ ಶೇಖರಣೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. pvd ಲೇಪನವನ್ನು ಟೈಟಾನಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್, ಟೈಟಾನಿಯಂ ಕಾರ್ಬನ್ ನೈಟ್ರೈಡ್, ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಟೈಟಾನಿಯಂ ನೈಟ್ರೋಜನ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು, ಹಾಗೆಯೇ ಕಾರ್ಬೈಡ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ನೈಟ್ರೈಡ್‌ಗಳ ವಿವಿಧ ವಕ್ರೀಕಾರಕ ಲೋಹಗಳೊಂದಿಗೆ ಲೇಪಿಸಬಹುದು.
PVD ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಇಂಟಿಗ್ರಲ್ ಸಿಮೆಂಟೆಡ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಉಪಕರಣಗಳು ಮತ್ತು ಹೈ ಸ್ಪೀಡ್ ಟೂಲ್ ಸ್ಟೀಲ್ ಉಪಕರಣಗಳ ಮೇಲ್ಮೈ ಚಿಕಿತ್ಸೆಯಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಿಮೆಂಟೆಡ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಬಿಟ್, ಮಿಲ್ಲಿಂಗ್ ಕಟ್ಟರ್, ರೀಮರ್, ಟ್ಯಾಪ್, ವಿಶೇಷ ಆಕಾರದ ಉಪಕರಣ, ವೆಲ್ಡಿಂಗ್ ಟೂಲ್ ಮತ್ತು ಮುಂತಾದವುಗಳ ಲೇಪನ ಚಿಕಿತ್ಸೆಯಲ್ಲಿ ಇದನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
MT-CVD
700~900℃ ನಲ್ಲಿ ಮಧ್ಯಮ ತಾಪಮಾನದ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ (MT-CVD) ದಟ್ಟವಾದ ನಾರಿನ ಸ್ಫಟಿಕದ ರೂಪವಿಜ್ಞಾನದೊಂದಿಗೆ tcn ಲೇಪನವನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು. ಲೇಪನದ ದಪ್ಪವು 8~10μm ತಲುಪಬಹುದು ಮತ್ತು cvd ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಮೂಲಕ ಮೇಲ್ಮೈ ಪದರದ ಮೇಲೆ a2o3、tin ಆಗಿರಬಹುದು.
MT-CVD ಲೇಪನ ಬ್ಲೇಡ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೇಗ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ, ದೊಡ್ಡ ಹೊರೆ, ಒಣ ಕತ್ತರಿಸುವ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ, ಅದರ ಜೀವನವು ಸಾಮಾನ್ಯ ಲೇಪನದ ಬ್ಲೇಡ್‌ಗಿಂತ ಎರಡು ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು. cvd ವಿಧಾನದ ಮುಖ್ಯ ನ್ಯೂನತೆಯೆಂದರೆ ಠೇವಣಿ ತಾಪಮಾನವು ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವೇಗದ ಉಪಕರಣ ಉಕ್ಕಿನ ಉಪಕರಣವನ್ನು ಲೇಪಿಸಿದಾಗ ಉಪಕರಣದ ಅನೆಲಿಂಗ್ ಮತ್ತು ವಿರೂಪತೆಯು ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಠೇವಣಿ ಮಾಡಿದ ಉಪಕರಣವನ್ನು ತಣಿಸಬೇಕು.
ಕೃತಿಸ್ವಾಮ್ಯ © 2026 ಯಾಂಗ್‌ಜಿಯಾಂಗ್ ಯಾಂಗ್‌ಡಾಂಗ್ ರುಯಿಟೈ ಹಾರ್ಡ್‌ವೇರ್ ಪ್ರಾಡಕ್ಟ್ಸ್ ಕಂ., ಲಿಮಿಟೆಡ್ | ಎಲ್ಲ ಹಕ್ಕುಗಳನ್ನು ಕಾಯ್ದಿರಿಸಲಾಗಿದೆ
